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參數(shù)資料
| 型號： | MJD117 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MJD117 |
MJD112 MJD117
5
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
NPN MJD112
PNP MJD117
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.06
0.2
0
*APPLIED FOR IC/IB < hFE/3
0.1
0.6
– 55
°C TO 25°C
0.4
1
– 4.8
2
4
104
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10–1
0
– 0.4
,COLLECT
OR
CURRENT
(
A)
I C
103
102
101
100
+ 0.2 + 0.4 + 0.6
TJ = 150°C
100
°C
REVERSE
FORWARD
25
°C
VCE = 30 V
105
– 0.6
– 0.2
+ 0.8
+ 1
+ 1.2 + 1.4
104
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10–1
0
+ 0.4
,COLLECT
OR
CURRENT
(
A)
I C
103
102
101
100
– 0.2 – 0.4 – 0.6
105
+ 0.6
+ 0.2
– 0.8
– 1
– 1.2 – 1.4
+ 0.8
– 4
– 3.2
– 2.4
– 1.6
– 0.8
θVC FOR VBE
25
°C TO 150°C
25
°C TO 150°C
*
θVC FOR VCE(sat)
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.06
0.2
0.1
0.6
0.4
1
2
4
Figure 10. Temperature Coefficients
Figure 11. Collector Cut–Off Region
Figure 12. Darlington Schematic
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈ 8 k
≈ 120
PNP
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈ 8 k
≈ 120
NPN
0
– 4.8
+ 0.8
– 4
– 3.2
– 2.4
– 1.6
– 0.8
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
– 55
°C TO 25°C
*APPLIES FOR IC/IB < hFE/3
*
θVC FOR VCE(sat)
θVB FOR VBE
25
°C TO 150°C
– 55
°C TO 25°C
25
°C TO 150°C
– 55
°C TO 25°C
VCE = 30 V
REVERSE
FORWARD
TJ = 150°C
100
°C
25
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD117 | 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MJD122-1 | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251AA |
| MJD122-I | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD1222 | 3000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MJD122 | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJD117-001 | 功能描述:達林頓晶體管 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJD117-001G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans Darlington PNP 100V 2A 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Rail |
| MJD117-1G | 功能描述:達林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJD117G | 功能描述:達林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJD117G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
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