參數(shù)資料
型號(hào)： MJD127
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
中文描述： 互補(bǔ)性的芯片功率達(dá)林頓晶體管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： MJD127
MJD122-1 / MJD122T4 / MJD127-1 / MJD127T4
2/8
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
j
= 25
°
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
* Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
2 %.
For PNP types voltage and current values are negative.
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
6.25
100
°
C/W
°
C/W
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
10
Unit
μ
A
V
CB
= 100 V
V
CE
= 50 V
10
μ
A
I
CEX
Collector Cut-off
Current (V
BE
= -1.5 V)
V
CE
= 100 V
V
CE
= 100 V
T
j
= 125
°
C
10
500
μ
A
μ
A
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
EB
= 5 V
2
mA
V
CEO(sus)
*
I
C
= 30 mA
100
V
V
CE(sat)
*
I
C
= 4 A
I
C
= 8 A
I
C
= 8 A
I
B
= 16 mA
I
B
= 80 mA
I
B
= 80 mA
2
4
V
V
V
BE(sat)
*
Base-Emitter
Saturation Voltage
4.5
V
V
BE(on)
*
Base-Emitter On
Voltage
I
C
= 4 A
V
CE
= 4 V
2.8
V
h
FE
*
DC Current Gain
I
C
= 4 A
I
C
= 8 A
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
1000
100
12000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD127-1 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
MJD127T4 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
MJD127 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
MJD127 Complementary Darlington Power Transistors
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MJD127T4G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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