參數(shù)資料
型號: MJD127
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
中文描述: 互補(bǔ)性的芯片功率達(dá)林頓晶體管
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大?。?/td> 91K
代理商: MJD127
MJD122-1 / MJD122T4 / MJD127-1 / MJD127T4
6/8
DIM.
mm
TYP.
inch
TYP.
MIN.
2.20
0.90
0.70
0.64
5.20
MAX.
2.40
1.10
1.30
0.90
5.40
0.85
MIN.
0.087
0.035
0.028
0.025
0.204
MAX.
0.094
0.043
0.051
0.035
0.213
0.033
A
A1
A3
B
B2
B3
B5
B6
C
C2
D
E
G
H
L
L1
L2
V1
0.30
0.012
0.95
0.60
0.60
6.20
6.60
4.60
16.30
9.40
1.20
1.00
0.037
0.024
0.024
0.244
0.260
0.181
0.642
0.370
0.047
0.039
0.45
0.48
6.00
6.40
4.40
15.90
9.00
0.80
0.018
0.019
0.237
0.252
0.173
0.626
0.354
0.031
0.80
10
o
0.031
10
o
P032N_E
TO-251 (IPAK) MECHANICAL DATA
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PDF描述
MJD127-1 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
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MJD127 Complementary Darlington Power Transistors
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MJD127T4 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127T4G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel