參數(shù)資料
型號(hào)： MJD127
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
中文描述： 互補(bǔ)性的芯片功率達(dá)林頓晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 91K
代理商： MJD127
MJD122-1 / MJD122T4 / MJD127-1 / MJD127T4
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Switching Times Resistive Load (NPN type)
Switching Times Resistive Load (PNP type)
DC Current Gain (PNP type)
Base-Emitter On Voltage (NPN type)
DC Current Gain (NPN type)
Base-Emitter On Voltage (PNP type)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MJD127 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
MJD127 Complementary Darlington Power Transistors
MJD127 D-PAK for Surface Mount Applications
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參數(shù)描述
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MJD127T4 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127T4G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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