參數(shù)資料
型號(hào)： MJD31C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： NPN Epitaxial Silicon Transistor(General Purpose Amplifier and Low Speed Switching Applications)(NPN硅外延晶體管（通用放大器和低速開(kāi)關(guān)作用）)
中文描述： 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大小： 444K
代理商： MJD31C
2000 Fairchild Semiconductor International
M
Rev. A. February 2000
Typical Characteristics
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD32 PNP Silicon Darlington Transistor(PNP達(dá)林頓硅晶體管（通用放大器和低速開(kāi)關(guān)作用）)
MJD340 Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
MJD350 Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
MJD340 NPN High Voltage Power Transistors(NPN高電壓功率晶體管)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD31C1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31C-1 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-252VAR
MJD31C-13 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 5A NPN SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31C1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31C1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 100V IPAK-4
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