參數(shù)資料
型號： MJD340
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
中文描述： 互補(bǔ)硅功率晶體管（互補(bǔ)硅功率晶體管）
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 65K
代理商： MJD340
MJD340
MJD350
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
I
COMPLEMENTARYPNP - NPN DEVICES
I
MEDIUMVOLTAGECAPABILITY
I
SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)
POWERPACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX ”T4”)
I
ELECTRICALSIMILAR TO MJE340 AND
MJE350
APPLICATIONS
I
SOLENOID/RELAYDRIVERS
I
GENERALPURPOSE SWITCHING AND
AMPLIFIER
DESCRIPTION
The MJD340 and MJD350 form complementary
NPN - PNP pairs.
They are manufactured using Medium Voltage
Epitaxial Planar technology, resulting in a rugged
high performancecost-effectivetransistor.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
MJD340
MJD350
300
300
3
0.5
0.75
15
-65 to 150
150
Unit
NPN
PNP
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (IE = 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (IC = 0)
Collector Current
Collector Peak Current (tp = 25
o
C)
Total Power Dissipation at T
case
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max Operating Junction Temperature
For PNP typesvoltage and current values are negative.
V
V
V
A
A
W
o
C
o
C
DPAK
TO-252
(Suffix ”T4”)
1
3
1/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD350 Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
MJD340 NPN High Voltage Power Transistors(NPN高電壓功率晶體管)
MJD350 PNP High Voltage Power Transistors(PNP高電壓功率晶體管)
MJD41C General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications
MJD41C Complementary Power Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MJD340G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.5A 300V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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