參數(shù)資料
型號： MJD340
廠商： 意法半導體
英文描述： Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管)
中文描述： 互補硅功率晶體管（互補硅功率晶體管）
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： MJD340
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.2
2.4
0.086
0.094
A1
0.9
1.1
0.035
0.043
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.64
0.9
0.025
0.035
B2
5.2
5.4
0.204
0.212
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
0.48
0.6
0.019
0.023
D
6
6.2
0.236
0.244
E
6.4
6.6
0.252
0.260
G
4.4
4.6
0.173
0.181
H
9.35
10.1
0.368
0.397
L2
0.8
0.031
L4
0.6
1
0.023
0.039
=
=
D
L2
L4
1
3
=
=
B
E
=
=
B
G
2
A
C
C
H
A
DETAIL”A”
A
DETAIL”A”
TO-252(DPAK) MECHANICAL DATA
0068772-B
MJD340 / MJD350
4/5
相關PDF資料
PDF描述
MJD350 Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管)
MJD340 NPN High Voltage Power Transistors(NPN高電壓功率晶體管)
MJD350 PNP High Voltage Power Transistors(PNP高電壓功率晶體管)
MJD41C General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications
MJD41C Complementary Power Transistors
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MJD340_11 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Power Transistors
MJD340-1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 0.5 AMPERE 300 VOLTS 15 WATTS
MJD340-13 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH VOLTAGE NPN SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD340G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.5A 300V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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