參數(shù)資料
型號(hào)： MJD41C
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Power Transistors
中文描述： 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： MJD41C
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
M
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Collector Capacitance
Figure 4. Turn On Time
Figure 5. Turn Off Time
Figure 6. Safe Operating Area
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
V
CE
= 2V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
C
= 10 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
t
R
V
CC
= 30V
I
C
= 10.I
B
t
D
. V
BE
(off)=5V
t
R
,
D
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
t
STG
t
F
t
F
,
S
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
5ms
DC
100
μ
s
500
μ
s
1ms
I
CP
(max)
I
C
(max)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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