參數(shù)資料
型號(hào)： MJD41CT4
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SILICON POWER TRANSISTORS 6 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS
中文描述： 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大小： 47K
代理商： MJD41CT4
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
M
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Power Derating
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD42_MJD42C General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
MJD42C 10 AMP SUBMINIATURE POWER RELAY
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參數(shù)描述
MJD41CT4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD41CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD42 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier
MJD42_MJD42C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
MJD42C 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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