型號: | MJD42C |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 10 AMP SUBMINIATURE POWER RELAY |
中文描述: | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
封裝: | DPAK-3 |
文件頁數(shù): | 3/5頁 |
文件大?。?/td> | 47K |
代理商: | MJD42C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MJD42 | General Purpose Amplifier |
MJD42CTF | General Purpose Amplifier |
MJD44H11 | NPN Epitaxial Silicon Transistor(General Purpose Power Switching Application)(NPN硅外延晶體管(通用功率開關(guān)作用)) |
MJD45H11 | Complementary Silicon PNP Transistors(互補(bǔ)硅PNP晶體管) |
MJD44H11 | Complementary Silicon PNP Transistors(互補(bǔ)硅PNP晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJD42C1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD42C-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 6 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS |
MJD42C1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD42CG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD42CRL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |