參數(shù)資料
型號(hào)： MJD50
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高壓快速開關(guān)NPN功率晶體管)
中文描述： 高壓快速NPN電源開關(guān)晶體管（高壓快速開關(guān)npn型功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大小： 97K
代理商： MJD50
MJD50
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE
I
HIGH VOLTAGECAPABILITY
I
SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)
POWERPACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX ”T4”)
I
ELECTRICALSIMILAR TO TIP50
APPLICATIONS
I
SWITCH MODE POWER SUPPLIES
I
AUDIO AMPLIFIERS
I
GENERALPURPOSE SWITCHING AND
AMPLIFIER
DESCRIPTION
The MJD50 is manufactured using Medium
Voltage Epitaxial Planar technology,resultingin a
rugged high performancecost-effective transistor.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
July 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Value
500
400
5
1
2
0.6
1.2
15
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
o
C
o
C
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
Base Current
Base Peak Current (t
p
< 5 ms)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
1
3
DPAK
TO-252
(Suffix ”T4”)
1/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE13005 Silicon NPN Switching Transistor(硅NPN開關(guān)晶體管)
MJE13007 Silicon NPN Switching Transistor(硅NPN開關(guān)晶體管)
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MJE13009 Silicon NPN Switching Transistor(硅NPN開關(guān)晶體管)
MJE200 NPN Epitaxial Silicon Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MJD50-1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS
MJD50G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD50T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD50T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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