參數(shù)資料
型號(hào)： MJD50
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高壓快速開關(guān)NPN功率晶體管)
中文描述： 高壓快速NPN電源開關(guān)晶體管（高壓快速開關(guān)npn型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 97K
代理商： MJD50
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
8.33
100
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter On
Voltage
DC Current Gain
V
CE
= 500 V
0.1
mA
I
CEO
V
CE
= 300 V
0.1
mA
I
EBO
V
EB
= 5 V
1
mA
V
CEO(sus)
I
C
= 30 mA
400
V
V
CE(sat)
I
C
= 1 A
I
B
= 0.2 A
1
V
V
BE(on)
I
C
= 1 A
V
CE
= 10 V
1.5
V
h
FE
I
C
= 0.3 A
I
C
= 1 A
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
30
10
150
f
T
Transition Frequency
I
C
= 0.2 A
V
CE
= 10 V
f=2MHz
10
MHz
h
fe
Small Signal Current
Gain
I
C
= 0.2 A
V
CE
= 10 V
f=1kHz
25
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe OperatingArea
DeratingCurves
MJD50
2/6
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PDF描述
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MJD50T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD50T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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