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參數(shù)資料
| 型號： | ML674000 |
| 廠商： | OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
| 英文描述： | CMOS 32-Bit ARM-Based General-Purpose Single-Chip Microcontroller(基于ARM的32位CMOS單片機(jī)) |
| 中文描述： | 的CMOS 32位基于ARM通用單芯片微控制器（基于ARM公司的32位的CMOS單片機(jī)） |
| 文件頁數(shù)： | 21/42頁 |
| 文件大小： | 529K |
| 代理商： | ML674000 |
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PEDL674000-02
OKI Semiconductor
ML674000
19/38
EDO DRAM
Parameter
Symbol
Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Note
RASCAS Delay Time (EDO-DRAM)
t
EDRCD
n
1
Tc
—
n
1
Tc + 3
CAS Pulse Width (EDO-DRAM)
t
EDCAS
n
2
Tc - 3
—
n
2
Tc
RAS Pulse Width(EDO-DRAM)
t
EDRAS
5Tc - 3
—
—
n
1
= tRCD
RAS Precharge Time (EDO-DRAM)
t
EDRP
n
3
Tc
—
n
3
Tc + 3
n
2
= tCAS
CAS Precharge Time (EDO-DRAM)
t
EDCP
—
n
4
Tc
—
n
4
Tc + 3
n
3
= tRP
XRAS_N Delay Time (EDO-DRAM)
t
EDRASD
Tc - 3
—
Tc + 3
n
= tCAC + 1
- tCAS
XOE_N Delay Time 1 (EDO-DRAM)
t
EDOED1
n
5
Tc - 6
—
n
5
Tc - 3
n
5
= tRAH
n
= tRCD -
tRAH
XOE_N Delay Time 2 (EDO-DRAM)
t
EDOED2
n
4
Tc - 3
—
n
4
Tc
XWE_N Delay Time 1 (EDO-DRAM)
t
EDWED1
n
5
Tc - 3
—
n
5
Tc
n
7
= tCAC + 1
XWE_N Delay Time 2 (EDO-DRAM)
t
EDWED2
CL = 5 pF
n
4
Tc
—
n
4
Tc + 3
Row Address Hold Time (EDO-DRAM)
t
EDRAH
n
5
Tc - 3
—
n
5
Tc + 3
Column Address Hold Time
(EDO-DRAM)
t
EDCAD
n
6
Tc - 3
—
n
6
Tc + 3
Column Address Hold Time
(EDO-DRAM)
t
EDCAH
CL = 25 pF
n
2
Tc - 3
—
n
2
Tc + 3
XD[15:0] Sampling Timing Delay Time
(EDO-DRAM)
XD[15:0] Input Setup Time (EDO-
DRAM)
XD[15:0] Input Hold Time (EDO-
DRAM)
XD[15:0] Output Delay Time 1
(EDO-DRAM)
t
EDXDSMPL
D
n
7
Tc - 30
—
n
7
Tc - 9
t
EDXDIS
-9
—
—
t
EDXDIH
_
6
—
—
t
EDXDOD1
-3
—
0
XD[15:0] Output Delay Time 2
(EDO-DRAM)
t
EDXDOD2
-3
—
0
XD[15:0] Output Hold Time
(EDO-DRAM)
t
EDXDOH
CL = 20 pF
Tc - 3
—
—
ns
NOTES
*The tRAS,tRAH,tCAC,tCAS,tRCD, and tRP for EDO-DRAM are parameters which can be set in DRPC register. Refer to
the following Table in detail.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| ML7001-02 | Single Rail CODEC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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