參數(shù)資料
型號: MMFT2N02EL
廠商: ON SEMICONDUCTOR
英文描述: Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts N-Channel(2A,20V,N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述: 功率MOSFET 2安培,20伏特N溝道(第2A,20V的,?溝道增強型功率馬鞍山場效應(yīng)管)
文件頁數(shù): 5/12頁
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代理商: MMFT2N02EL
MMFT2N02EL
http://onsemi.com
5
RG
t
VDS
L
IL
VDD
Figure 9. Commutating Waveforms
tP
BVDSS
VDD
IL(t)
t, (TIME)
Figure 10. Commutating Safe Operating Area (CSOA)
15 V
VGS
0
90%
IFM
dlS/dt
IS
10%
trr
tfrr
0.25 IRM
IRM
ton
VDS
Vf
VdsL
VR
VDS(pk)
MAX. CSOA
STRESS AREA
Figure 11. Commutating Safe Operating Area
Test Circuit
+
-
+
-
Figure 12. Unclamped Inductive Switching
Test Circuit
VR
VGS
IFM
20 V
RGS
DUT
IS
Li
VR = 80% OF RATED VDSS
VdsL = Vf + Li
dlS/dt
Figure 13. Unclamped Inductive Switching
Waveforms
VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
10
0
9
8
7
6
0
4
8
12
16
30
2
6
10
14
18
5
4
3
2
1
20 22 24 26 28
dIS/dt
400 A/
μ
s
VDS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MMJT9435 Bipolar Power Transistors PNP Silicon(PNP型雙極性功率晶體管)
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MMSD914T3 Switching Diode(開關(guān)二極管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMFT2N02ELT1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MMFT2N25E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 250 VOLTS
MMFT2N25ET3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel
MMFT3055E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:MEDIUM POWER TMOS FET 1.7 AMP 60 VOLTS
MMFT3055EL 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:MEDIUM POWER LOGIC LEVEL TMOS FET 1.5 AMP 60 VOLTS