參數(shù)資料
型號(hào)： MMPQ6502
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Quad NPN & PNP General Purpose Amplifier
中文描述： 1000 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOIC-16
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 195K
代理商： MMPQ6502
M
Quad NPN & PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25
°
C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown
Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector-Cutoff Current
I
EBO
Emitter-Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
30
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 50 V, I
E
= 0
V
EB
= 3.0 V, I
C
= 0
60
5.0
V
V
nA
nA
30
30
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 10 V, I
C
= 1.0 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 150 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 300 mA
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
I
C
= 300 mA, I
B
= 30 mA
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
I
C
= 300 mA, I
B
= 30 mA
50
75
100
30
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.4
1.4
1.3
2.0
V
V
V
V
V
BE(
sat
)
Base-Emitter Saturation Voltage
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
C
ob
Output Capacitance
C
ib
Input Capacitance
f
T
Current-Gain Bandwidth Product
V
CB
= 10 V, f = 1.0 MHz
V
BE
= 2.0 V, f = 1.0 MHz
I
C
= 50 mA, V
CE
= 20 V,
f = 100 MHz
8.0
30
pF
pF
MHz
200
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMPQ6700 Quad NPN & PNP General Purpose Amplifier
MMSD3070 Small Signal Diode
MMSD4148 High Conductance Fast Diode
MMSD4148T1 SWITCHING DIODE
MMSD4148T1G SWITCHING DIODE
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參數(shù)描述
MMPQ6700 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/PNP Transistor Gen Purp Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ6700_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/PNP Transistor Gen Purp Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ6700R1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ6842 制造商:Motorola Inc 功能描述:
MMPQ700 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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