型號: | MMPQ6502 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | Quad NPN & PNP General Purpose Amplifier |
中文描述: | 1000 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | SOIC-16 |
文件頁數(shù): | 4/6頁 |
文件大小: | 195K |
代理商: | MMPQ6502 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
MMPQ6700 | Quad NPN & PNP General Purpose Amplifier |
MMSD3070 | Small Signal Diode |
MMSD4148 | High Conductance Fast Diode |
MMSD4148T1 | SWITCHING DIODE |
MMSD4148T1G | SWITCHING DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
MMPQ6700 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/PNP Transistor Gen Purp Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMPQ6700_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/PNP Transistor Gen Purp Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMPQ6700R1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMPQ6842 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
MMPQ700 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |