參數(shù)資料
型號(hào)： MPSW56
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： One Watt Amplifier Transistors(PNP Silicon)
中文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
文件大?。?/td> 380K
代理商： MPSW56
M
MPSW56
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for general purpose medium power
amplifiers and switches requiring collector currents to 800 mA.
Sourced from Process 79.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
80
80
4.0
1.0
V
V
V
A
°
C
-55 to +150
Symbol
Characteristic
Max
Units
MPSW56
1.0
8.0
50
125
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
*
Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm
2
.
W
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
TO-226
CBE
2000 Fairchild Semiconductor Corporation
MPSW56, Rev A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW56 One Watt Amplifier Transistors
MPT2N18 N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
MPT2N20 SPST, 150mA PC Mount Pushbutton
MR27T12800J 8M-Word x 16-Bit or 16M-Word x 8-Bit P2ROM
MR27T12800J-xxxTN 8M-Word x 16-Bit or 16M-Word x 8-Bit P2ROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSW56_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56RLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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