參數(shù)資料
型號(hào)： MPSW56
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： One Watt Amplifier Transistors(PNP Silicon)
中文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 380K
代理商： MPSW56
M
Electrical Characteristics
TA = 25
°
C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Em itter Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Em itter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector-Cutoff Current
I
CEO
Collector-Cutoff Current
I
EBO
Em itter-Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 1.0 m A, I
B
= 0
80
V
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 1.0 m A, I
C
= 0
V
CB
= 60 V, I
E
= 0
V
CE
= 60 V
V
EB
= 3.0 V, I
C
= 0
80
4.0
V
V
0.1
0.5
μ
A
μ
A
μ
A
0.10
I
C
= 50 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 250 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 250 mA, I
B
= 10 mA
I
C
= 250 mA, V
CE
= 5.0 V
100
50
V
CE(
sat
)
V
BE(
on
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
0.5
1.2
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain-Bandwidth Product
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
1.0%
Typical Characteristics
I
C
= 250 mA, V
CE
= 5.0 V,
f = 20 MHz
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
50
MHz
C
ob
Collector-Base Capacitance
15
pF
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.01
0.02
0.05
0.1
0.5
1
0
50
100
150
200
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
F
125 °C
25 °C
- 40 °C
V = 1.0 V
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P
10
100
1000
0.01
0.1
1
2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
25
°
C
- 40
o
C
125
o
C
β
= 10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW56 One Watt Amplifier Transistors
MPT2N18 N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
MPT2N20 SPST, 150mA PC Mount Pushbutton
MR27T12800J 8M-Word x 16-Bit or 16M-Word x 8-Bit P2ROM
MR27T12800J-xxxTN 8M-Word x 16-Bit or 16M-Word x 8-Bit P2ROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSW56_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56RLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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