參數(shù)資料
型號(hào)： MPSW56
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： One Watt Amplifier Transistors(PNP Silicon)
中文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大小： 380K
代理商： MPSW56
TO-226AE Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
ITEM DESCRIPTION
Base of Package to Lead Bend
Component Height
Lead Clinch Height
Component Base Height
Component Alignment ( side/side )
Component Alignment ( front/back )
Component Pitch
Feed Hole Pitch
Hole Center to First Lead
Hole Center to Component Center
Lead Spread
Lead Thickness
Cut Lead Length
Taped Lead Length
Taped Lead Thickness
Carrier Tape Thickness
Carrier Tape Width
Hold - down Tape Width
Hold - down Tape position
Feed Hole Position
Sprocket Hole Diameter
Lead Spring Out
SYMBOL
b
Hb
HO
H1
Pd
Hd
P
PO
P1
P2
F1/F2
d
L
L1
t
t1
W
WO
W1
W2
DO
S
DIMENSION
0.098 (max)
1.078 (+/- 0.050)
0.630 (+/- 0.020)
0.748 (+/- 0.020)
0.040 (max)
0.031 (max)
0.500 (+/- 0.020)
0.500 (+/- 0.008)
0.150 (+0.009, -0.010)
0.247 (+/- 0.007)
0.104 (+/- 0 .010)
0.018 (+0.002, -0.003)
0.429 (max)
0.209 (+0.051, -0.052)
0.032 (+/- 0.006)
0.021 (+/- 0.006)
0.708 (+0.020, -0.019)
0.236 (+/- 0.012)
0.035 (max)
0.360 (+/- 0.025)
0.157 (+0.008, -0.007)
0.004 (max)
Note : All dimensions are in inches.
Hb
H1 HO
PO
P2
P1 F1
DO
P
Pd
b
d
L1
L
S
WO
W2
W
t
t1
Hd
W1
ITEM DESCRIPTION
SYMBOL
MINIMUM
MAXIMUM
Reel Diameter
D1
13.975
14.025
Arbor Hole Diameter (Standard)
D2
1.160
1.200
(Small Hole)
D2
0.650
0.700
Core Diameter
D3
3.100
3.300
Hub Recess Inner Diameter
D4
2.700
3.100
Hub Recess Depth
W1
0.370
0.570
Flange to Flange Inner Width
W2
1.630
1.690
Hub to Hub Center Width
W3
2.090
Note: All dimensions are inches
SENSITIVE DEVICES
ELECTROSTATIC
D1
D3
W2
W1
W3
D4
D2
TO-226AE Tape andReelTaping
Dimension Configuration:
Figure 4.0
TO-226AE Reel
Configuration:
Figure 5.0
User Directionof Feed
Customzed Label
F63TNR Label
October 1999, Rev. A1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW56 One Watt Amplifier Transistors
MPT2N18 N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
MPT2N20 SPST, 150mA PC Mount Pushbutton
MR27T12800J 8M-Word x 16-Bit or 16M-Word x 8-Bit P2ROM
MR27T12800J-xxxTN 8M-Word x 16-Bit or 16M-Word x 8-Bit P2ROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSW56_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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