參數(shù)資料
型號(hào)： MPSW56
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： One Watt Amplifier Transistors(PNP Silicon)
中文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 380K
代理商： MPSW56
TO-226AE (FS PKG Code 95, 99)
TO-226AE Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
October 1999, Rev. A1
S0.51–0.36;
S0.76–
0.36;
S1.40–1.14;
S1.40–1.14;
S4.70–4.32;
S2.41–2.13;
S4.45–3.81;
5° TYP
S1.52–1.02;
2° TYP
2° TYP
S7.73–7.10;
S7.87–7.37;
S15.61–14.47;
S1.65–1.27;
0.51
S0.48–0.30;
TO-226AE (95,99)
1
99
95
3
C
B
2
B
C
1
E
E
P
3
2
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.300
For leadformed option ordering,
refer to Tape & Reel data information.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW56 One Watt Amplifier Transistors
MPT2N18 N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
MPT2N20 SPST, 150mA PC Mount Pushbutton
MR27T12800J 8M-Word x 16-Bit or 16M-Word x 8-Bit P2ROM
MR27T12800J-xxxTN 8M-Word x 16-Bit or 16M-Word x 8-Bit P2ROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSW56_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56RLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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