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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF1517NT1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistor |
| 中文描述： | RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 288K |
| 代理商： | MRF1517NT1 |
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2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1517NT1
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
DS
= 35 Vdc, V
GS
= 0)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 10 Vdc, V
DS
= 0)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 7.5 Vdc, I
D
= 120
μ
Adc)
V
GS(th)
1
1.7
2.1
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 1 Adc)
V
DS(on)
—
0.5
—
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 2 Adc)
g
fs
—
0.9
—
S
Dynamic Characteristics
Input Capacitance
(V
DS
= 7.5 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
C
iss
—
66
—
pF
Output Capacitance
(V
DS
= 7.5 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
C
oss
—
38
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 7.5 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
C
rss
—
6
—
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture)
Common-Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 7.5 Vdc, P
out
= 8 Watts, I
DQ
= 150 mA, f = 520 MHz)
G
ps
—
14
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 7.5 Vdc, P
out
= 8 Watts, I
DQ
= 150 mA, f = 520 MHz)
η
—
70
—
%
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