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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF1517NT1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistor |
| 中文描述： | RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 288K |
| 代理商： | MRF1517NT1 |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1517NT1
TYPICAL CHARACTERISTICS, 480 - 520 MHz
P
in
= 27 dBm
V
DD
= 7.5 Vdc
2
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
50
10
80
1
4
E
30
60
40
3
5
E
Figure 4. Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
8
6
14
Figure 5. Drain Efficiency versus Output Power
2
G
Figure 6. Output Power versus Biasing Current
12
I
DQ
, BIASING CURRENT (mA)
0
Figure 7. Drain Efficiency versus Biasing Current
80
I
DQ
, BIASING CURRENT (mA)
Figure 8. Output Power versus Supply Voltage
5
V
DD
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
0
Figure 9. Drain Efficiency versus Supply Voltage
V
DD
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
30
9
8
5
0
40
60
60
30
400
0
4
12
600
1000
80
2
4
6
10
18
200
50
12
P
200
1000
400
600
P
6
9
10
7
6
7
8
10
3
1
2
6
E
50
70
500 MHz
520 MHz
480 MHz
5
6
4
7
9
10
8
16
6
8
7
9
10
11
70
20
500 MHz
520 MHz
480 MHz
800
8
500 MHz
520 MHz
480 MHz
800
70
500 MHz
520 MHz
480 MHz
10
8
500 MHz
520 MHz
480 MHz
500 MHz
520 MHz
480 MHz
10
40
V
DD
= 7.5 Vdc
V
DD
= 7.5 Vdc
P
in
= 27 dBm
V
DD
= 7.5 Vdc
P
in
= 27 dBm
I
DQ
= 150 mA
P
in
= 27 dBm
I
DQ
= 150 mA
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PDF描述 |
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