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參數(shù)資料
| 型號： | MRF1517NT1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistor |
| 中文描述： | RF功率場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 288K |
| 代理商： | MRF1517NT1 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1517NT1
TYPICAL CHARACTERISTICS, 400 - 440 MHz
2
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
50
20
70
1
4
E
30
60
40
3
5
E
Figure 13. Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
7
5
13
Figure 14. Drain Efficiency versus Output Power
2
G
1
Figure 15. Output Power versus Biasing Current
12
I
DQ
, BIASING CURRENT (mA)
0
Figure 16. Drain Efficiency versus Biasing Current
80
I
DQ
, BIASING CURRENT (mA)
Figure 17. Output Power versus Supply Voltage
5
V
DD
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
0
Figure 18. Drain Efficiency versus Supply Voltage
V
DD
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
9
8
5
0
40
60
60
30
400
0
6
12
600
1000
80
4
9
17
200
50
11
P
200
1000
400
600
P
6
9
10
7
6
7
8
10
3
5
2
4
8
E
50
70
30
4
6
7
9
8
10
15
6
8
7
9
10
11
0
10
800
6
10
8
800
70
10
400 MHz
440 MHz
420 MHz
400 MHz
440 MHz
420 MHz
400 MHz
440 MHz
420 MHz
400 MHz
440 MHz
420 MHz
400 MHz
440 MHz
420 MHz
400 MHz
440 MHz
420 MHz
2
40
P
in
= 25.5 dBm
V
DD
= 7.5 Vdc
V
DD
= 7.5 Vdc
V
DD
= 7.5 Vdc
P
in
= 25.5 dBm
I
DQ
= 150 mA
P
in
= 25.5 dBm
V
DD
= 7.5 Vdc
P
in
= 25.5 dBm
I
DQ
= 150 mA
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