參數(shù)資料
型號(hào)： MRF1570NT1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 17/18頁(yè)
文件大?。?/td> 441K
代理商： MRF1570NT1
MRF1570NT1 MRF1570FNT1
17
RF Device Data
Freescale Semiconductor
CASE 1366A-02
ISSUE C
TO-272-8
PLASTIC
MRF1570FNT1
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M, 1994.
3. DIMENSIONS "D" AND "E1" DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION
IS 0.006 PER SIDE. DIMENSIONS "D" AND "E1" DO
INCLUDE MOLD MISMATCH AND ARE
DETERMINED AT DATUM PLANE H.
4. DIMENSIONS "b" AND "b1" DO NOT INCLUDE
DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.005 TOTAL IN EXCESS
OF THE "b1" AND "b2" DIMENSIONS AT MAXIMUM
MATERIAL CONDITION.
5. CROSSHATCHING REPRESENTS THE EXPOSED
AREA OF THE HEAT SLUG.
6. DIMENSION A2 APPLIES WITHIN ZONE "J" ONLY.
A
M
aaa
D
B
E1
P
e
4X
D
4X
b2
D1
B
M
aaa
D B
M
aaa
D A
E
DIM
A
A1
A2
MIN
0.098
0.038
0.040
MAX
0.106
0.044
0.042
MIN
2.49
0.96
1.02
MAX
2.69
1.12
1.07
MILLIMETERS
INCHES
D
D1
D2
0.926
0.810 BSC
0.608 BSC
0.934
23.52
20.57 BSC
15.44 BSC
23.72
E
E1
E2
F
0.492
0.246
0.170 BSC
0.025 BSC
0.500
0.254
12.50
6.25
12.70
6.45
b
b1
b2
b3
b4
0.105
0.088
0.066
0.067
0.077
0.111
0.094
0.072
0.073
0.083
2.67
2.24
1.68
1.70
1.96
2.82
2.39
1.83
1.85
2.11
c1
e
e1
e2
0.007
0.104 BSC
0.210 BSC
0.229 BSC
0.011
0.178
0.279
aaa
bbb
1
2
3
5
6
7
0.004
0.008
2.64 BSC
5.33 BSC
5.82 BSC
0.10
0.20
4X
b1
P
0.126
0.134
3.20
3.40
4.32 BSC
0.64 BSC
4
2
1
6
5
7
VIEW Y-Y
3
8
bbb C
E2
D2
A
DRAIN ID
B
4
8
B
2X
e1
2X
b3
STYLE 1:
PIN 1. SOURCE (COMMON)
2. DRAIN
3. DRAIN
4. SOURCE (COMMON)
5. SOURCE (COMMON)
6. GATE
7. GATE
8. SOURCE (COMMON)
NOTE 5
D
A
SEATING
PLANE
Y
Y
A1
c1
(b1)
3X
b
M
aaa
D B
e2
3X
4X
ZONE "J"
6
F
A2
b4
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