參數(shù)資料
型號： MRF1570NT1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/18頁
文件大?。?/td> 441K
代理商： MRF1570NT1
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1570NT1 MRF1570FNT1
Figure 2. 135 - 175 MHz Broadband Test Circuit Component Layout
C11
B1
C12 C13 C14
C1
C2
C3
C4
C5
L1
L2
C6
C7
L3
L4
C10
C15
C8
R3
C9
R4
R1
R2
C16
B2
C17 C18 C19
C44
C38
L9
L10
C37
C20
C21
C43
C23
C22
C24
C26
C27
C25
L5
L6
C28
C29
L7
L8
C30
C31
C32
C33
C39
B5
B6
B3
B4
C35 C34
C36
C41 C40
C42
V
DD
GND
V
GG
GND
MRF1570T1
Freescale has begun the transition of marking Printed Circuit Boards (PCBs) with the Freescale Semiconductor
signature/logo. PCBs may have either Motorola or Freescale markings during the transition period. These changes will have
no impact on form, fit or function of the current product.
TYPICAL CHARACTERISTICS, 135 - 175 MHz
135 MHz
175 MHz
150 MHz
6
0
100
0
P
in
, INPUT POWER (WATTS)
Figure 3. Output Power versus Input Power
Po
V
DD
= 12.5 Vdc
80
60
40
20
1
2
3
4
5
80
20
0
10
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 4. Input Return Loss versus Output Power
5
10
15
135 MHz
175 MHz
155 MHz
V
DD
= 12.5 Vdc
90
70
60
50
40
30
20
I
I
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