參數(shù)資料
型號： MRF1570NT1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 2/18頁
文件大?。?/td> 441K
代理商： MRF1570NT1
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1570NT1 MRF1570FNT1
Table 5. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
DS
= 60 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
A
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 12.5 Vdc, I
D
= 0.8 mAdc)
V
GS(th)
1
—
3
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 2.0 Adc)
V
DS(on)
—
—
1
Vdc
Dynamic Characteristics
Input Capacitance (Includes Input Matching Capacitance)
(V
DS
= 12.5 Vdc, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz)
C
iss
—
—
500
pF
Output Capacitance
(V
DS
= 12.5 Vdc, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz)
C
oss
—
—
250
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 12.5 Vdc, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz)
C
rss
—
—
35
pF
RF Characteristics
(In Freescale Test Fixture)
Common-Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 12.5 Vdc, P
out
= 70 W, I
DQ
= 800 mA)
f = 470 MHz
G
ps
—
11.5
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 12.5 Vdc, P
out
= 70 W, I
DQ
= 800 mA)
f = 470 MHz
η
—
60
—
%
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