參數(shù)資料
型號： MRF21180R6
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-1230, CASE 375D-04, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 520K
代理商： MRF21180R6
3
MRF21180R6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture, 50 ohm system) (2) (continued)
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 170 W, I
DQ
= 2 x 850 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
G
ps
—
12
—
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 170 W, I
DQ
= 2 x 850 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
η
—
33
—
%
Two-Tone Intermodulation Distortion
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 170 W, I
DQ
= 2 x 850 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
IMD
—
-30
—
dBc
Two-Tone Input Return Loss
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 170 W, I
DQ
= 2 x 850 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
IRL
—
-12
—
dB
P
out
, 1 dB Compression Point
(V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 2 x 850 mA, f = 2170 MHz)
(2) Measurements made with device in push-pull configuration.
P1dB
—
180
—
W
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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