參數(shù)資料
型號(hào)： MRF21180R6
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-1230, CASE 375D-04, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大?。?/td> 520K
代理商： MRF21180R6
MRF21180R6
8
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 13. Series Equivalent Input and Output Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
2110
2140
2170
2.65 + j1.52
2.64 + j2.04
2.71 + j1.80
2.45 + j2.08
2.39 + j2.51
2.16 + j3.14
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 2 X 850 mA, P
out
= 38 W Avg.
Z
o
= 5
Z
load
f = 2110 MHz
f = 2170 MHz
Z
source
f = 2110 MHz
f = 2170 MHz
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to drain, balanced configuration.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
+
+
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述
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