參數(shù)資料
型號： MRF314
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： MRF314
MRF314
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued
(TC = 25
°
C unless otherwise noted.)
Characteristic
Unit
Max
Typ
Min
Symbol
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(VCB = 30 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cob
—
30
40
pF
FUNCTIONAL TESTS
(Figure 1)
Common–Emitter Amplifier Power Gain
(VCC = 28 Vdc, Pout = 30 W, f = 150 MHz)
GPE
10
13.5
—
dB
Collector Efficiency
(VCC = 28 Vdc, Pout = 30 W, f = 150 MHz)
η
50
—
—
%
Load Mismatch
(VCC = 28 Vdc, Pout = 30 W, f = 150 MHz,
VSWR = 30:1 all phase angles)
ψ
No Degradation in Power Output
Figure 1. 150 MHz Test Circuit
R2
R1
RFC3
L1
C10
C9
C8
RFC2
C2
C3
RFC1
C4
C5
C6
RF OUTPUT
Z2
C1
Z1
DC + 28 Vdc
C7
DUT
RF INPUT
C1, C7 — 18 pF, 100 mil ATC
C2 — 68 pF, 100 mil ATC
C3, C6 — Johanson #JMC 5501
C4 — 270 pF, 100 mil ATC
C5 — 240 pF, 100 mil ATC
C8, C9 — 100 pF Underwood
C10 — 1.0
μ
F Tantalum
L1 — 2 Turns, 2.5
″
#20 Wire, ID = 0.275
″
R1, R2 — 10
, 1.0 W
RFC1 — 15
μ
H Molded Coil
RFC2 — 2 Turns, 2.5
″
#20 Wire, ID = 0.2
″
RFC3 — Ferroxcube VK200–19/4B
Z1 — Microstrip, 0.168
″
W x 1.6
″
L
Z2 — Microstrip, 0.168
″
W x 1.2
″
L
Board — Glass Teflon
ε
r =
2.55
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