參數(shù)資料
型號(hào)： MRF377HR5
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 5/16頁(yè)
文件大?。?/td> 780K
代理商： MRF377HR5
MRF377HR3 MRF377HR5
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL NARROWBAND CHARACTERISTICS
2200 mA
100
16
19
10
G
ps
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 2. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Gp
V
DD
= 32 Vdc
I
DQ
= 2000 mA
f1 = 859.95 MHz, f2 = 860.05 MHz
18.5
18
17.5
17
16.5
100
70
20
10
I
DQ
= 1400 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 3. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
I
I
V
DD
= 32 Vdc
f1 = 859.95 MHz, f2 = 860.05 MHz
30
40
50
60
1600 mA
1800 mA
2000 mA
100
80
20
10
7th Order
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
I
I
V
DD
= 32 Vdc
I
DQ
= 2000 mA
f1 = 859.95 MHz, f2 = 860.05 MHz
30
40
50
60
70
5th Order
3rd Order
η
100
5
45
10
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Two-Tone Drain Efficiency versus
Output Power
,
η
V
DD
= 32 Vdc
I
DQ
= 2000 mA
f1 = 859.95 MHz, f2 = 860.05 MHz
40
35
30
25
20
15
10
η
100
12
19
10
80
60
G
ps
IMD
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 6. Power Gain, Efficiency and IMD
versus Output Power
Gp
I
I
,
η
V
DD
= 32 Vdc
I
DQ
= 2000 mA
f1 = 859.95 MHz, f2 = 860.05 MHz
18
40
17
20
16
0
15
20
14
40
13
60
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