參數(shù)資料
型號： MRF5P20180
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大?。?/td> 365K
代理商： MRF5P20180
MRF5P20180HR6
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 375D-05
ISSUE D
NI-1230
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
4. RECOMMENDED BOLT CENTER DIMENSION OF
1.52 (38.61) BASED ON M3 SCREW.
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. GATE
5. SOURCE
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
M
MIN
1.615
0.395
0.150
0.455
0.062
0.004
1.400 BSC
0.082
0.117
0.540 BSC
1.219
MAX
1.625
0.405
0.200
0.465
0.066
0.007
MIN
41.02
10.03
3.81
11.56
1.57
0.10
35.56 BSC
2.08
2.97
13.72 BSC
30.96
MAX
41.28
10.29
5.08
11.81
1.68
0.18
MILLIMETERS
INCHES
0.090
0.137
2.29
3.48
N
Q
R
S
1.218
0.120
0.355
0.365
0.013 REF
0.010 REF
0.020 REF
1.242
0.130
0.365
0.375
30.94
3.05
9.01
9.27
31.55
3.30
9.27
9.53
A
G
L
D
K
4X
Q
2X
1
2
4
3
1.241
31.52
aaa
bbb
ccc
0.33 REF
0.25 REF
0.51 REF
SEATING
PLANE
N
C
E
M
M
A
M
aaa
B
M
T
B
B
(FLANGE)
H
F
M
A
M
ccc
B
M
T
R
(LID)
S
(INSULATOR)
M
A
M
bbb
B
M
T
4X
A
T
M
A
M
bbb
B
M
T
(INSULATOR)
M
A
M
ccc
B
M
T
(LID)
PIN 5
M
A
M
bbb
B
M
T
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5P21045NR1 RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF5S19060MBR1 RF Power Field Effect Transistors
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MRF5S19130SR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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MRF5P20180HR6_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF5P20180R6 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF5P21045NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 2170MHZ 10W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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