參數(shù)資料
型號： MRF5P20180
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 射頻功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 365K
代理商： MRF5P20180
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5P20180HR6
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
0
35
1
55
20
30
25
25
30
20
35
15
40
10
45
5
50
10
G
ps
ACPR
IM3
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS, Avg.) WCDMA
Figure 8. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
I
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1600 mA
f1 = 1955 MHz, f2 = 1965 MHz
2 x WCDMA
10 MHz @ 3.84 MHz Channel Bandwidth
Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
η
D
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 9. MTTF Factor versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
220
100
120
140
160
180
200
10
7
10
10
10
9
10
8
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 10. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single Carrier Test Signal
P
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
Figure 11. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
110
120
70
20
80
60
50
(
90
100
40
30
3.84 MHz
Channel BW
IM3 @
3.84 MHz BW
+IM3 @
3.84 MHz BW
ACPR @
3.84 MHz BW
+ACPR @
3.84 MHz BW
20
5
15
10
0
5
10
15
20
25
25
W-CDMA TEST SIGNAL
M
2
)
η
D
,
p
,
相關PDF資料
PDF描述
MRF5P21045NR1 RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF5S19060MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19090HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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MRF5S19130SR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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