參數(shù)資料
型號： MRF6P27160H
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： RF功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的側(cè)向
文件頁數(shù)： 4/12頁
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代理商： MRF6P27160H
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P27160HR6
Figure 2. MRF6P27160HR6 Test Circuit Component Layout
-
+
-
+
C
MRF6P27160H
Rev 5
B1
C7 C6
C5*
C3
R1
C4*
C1
C2
B2
C9*
C10*
C8
R2
C12 C11
C17
C16
C15
C19
C18
C13
C14
C20
C21
C22
C23
C24
*Stacked
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MRF6P3300HR5 RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
MRF6P3300H RF Power Field Effect Transistor
MRF6P9220HR3 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
MRF6S18100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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MRF6P27160HR6_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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