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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6P27160HR6 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| 中文描述： | RF功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的側(cè)向 |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 446K |
| 代理商： | MRF6P27160HR6 |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P27160HR6
Figure 2. MRF6P27160HR6 Test Circuit Component Layout
-
+
-
+
C
MRF6P27160H
Rev 5
B1
C7 C6
C5*
C3
R1
C4*
C1
C2
B2
C9*
C10*
C8
R2
C12 C11
C17
C16
C15
C19
C18
C13
C14
C20
C21
C22
C23
C24
*Stacked
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6P27160H | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF6P3300HR3 | RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET) |
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| MRF6P3300H | RF Power Field Effect Transistor |
| MRF6P9220HR3 | 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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