參數資料
型號： MRF6P27160HR6
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： RF功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的側向
文件頁數： 7/12頁
文件大?。?/td> 446K
代理商： MRF6P27160HR6
MRF6P27160HR6
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
N-CDMA TEST SIGNAL
210
10
10
10
9
10
8
10
7
110
130
150
170
190
90
100
120
140
160
180
200
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 12. Single-Carrier CCDF N-CDMA
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
IS95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13) 1.2288 MHz Channel Bandwidth
Carriers. ACPR Measured in 30 kHz Bandwidth @
±
885 kHz Offset. Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01%
Probability on CCDF.
P
60
110
10
(
20
30
40
50
70
80
90
100
+ACPR @ 30 kHz
Integrated BW
1.2288 MHz
Channel BW
2.9
0.7
2.2
1.5
0
0.7
1.5
2.2
2.9
3.6
3.6
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 13. Single-Carrier N-CDMA Spectrum
ACPR @ 30 kHz
Integrated BW
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 14. MTTF Factor versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
M
2
)
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PDF描述
MRF6P27160H RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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MRF6P3300H RF Power Field Effect Transistor
MRF6P9220HR3 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
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