參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6P3300HR5
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)）
文件頁(yè)數(shù)： 19/24頁(yè)
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代理商： MRF6P3300HR5
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
19
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL ATSC 8VSB BROADBAND CHARACTERISTICS
A
Figure 48. Single-Carrier ATSC 8VSB
Broadband Performance @ 100 Watts Avg.
15
33
f, FREQUENCY (MHz)
40
23
30
20
24
25
32
400
27
η
D
,
p
,
G
ps
ACPR
V
DD
= 32 Vdc, P
out
= 100 W (Avg.)
I
DQ
= 1700 mA, ATSC 8VSB
37.5
900
35
25
26
η
D
500
600
700
800
Figure 49. Single-Carrier ATSC 8VSB Power
Gain versus Output Power
17
24
3
f = 560 MHz
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
23
21
20
100
200
G
p
,
22
19
10
660 MHz
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1700 mA
760 MHz
860 MHz
η
D
,
D
Figure 50. Single-Carrier ATSC 8VSB Drain
Efficiency versus Output Power
0
50
3
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
40
30
100
200
20
10
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1700 mA
ATSC 8VSB
10
f = 660 MHz
560 MHz
760 MHz
860 MHz
A
Figure 51. Single-Carrier ATSC 8VSB ACPR
versus Output Power
40
15
3
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
20
100
200
25
10
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1700 mA
ATSC 8VSB
35
f = 860 MHz
760 MHz
660 MHz
32.5
27.5
22.5
17.5
28
29
30
31
470 MHz
18
470 MHz
30
470 MHz
560 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6P3300H RF Power Field Effect Transistor
MRF6P9220HR3 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
MRF6S18100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6P9220HR3 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6P9220HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P9220HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P9220HR5 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S18060MBR1 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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