參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6P3300HR5
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)）
文件頁(yè)數(shù)： 2/24頁(yè)
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代理商： MRF6P3300HR5
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
3B (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
C (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
(1)
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 68 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 32 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
On Characteristics
(1)
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 350
μ
Adc)
V
GS(th)
1
2.2
3
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 2.4 Adc)
V
DS(on)
—
0.22
0.3
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 2.4 Adc)
g
fs
—
7.4
—
S
Dynamic Characteristics
(1,2)
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 32 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
1.4
—
pF
Functional Tests
(3)
(In Freescale Narrowband Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA, P
out
= 270 W PEP,
f1 = 857 MHz, f2 = 863 MHz
Power Gain
G
ps
19
20.2
23
dB
Drain Efficiency
η
D
41
44.1
—
%
Intermodulation Distortion
IMD
—
-30.8
-28
dBc
Input Return Loss
IRL
—
-24
-9
dB
P
out
@ 1 dB Compression Point, CW
(f = 860 MHz)
P1dB
—
320
—
W
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 32 Vdc, I
D
= 1600 mAdc)
V
GS(Q)
2
2.8
4
Vdc
1. Each side of the device measured separately.
2. Part is internally matched both on input and output.
3. Measurement made with device in push-pull configuration.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6P3300H RF Power Field Effect Transistor
MRF6P9220HR3 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
MRF6S18100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6P9220HR3 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6P9220HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P9220HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P9220HR5 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S18060MBR1 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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