參數(shù)資料
型號： MRF6P3300HR5
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管（N溝道增強型MOSFET的側(cè)）
文件頁數(shù)： 8/24頁
文件大?。?/td> 879K
代理商： MRF6P3300HR5
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
DIGITAL TEST SIGNALS
12
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 14. Single-Carrier DVTB OFDM
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
P
8K Mode DVTB OFDM
64 QAM Data Carrier Modulation
5 Symbols
5
20
5
7.61 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 15. 8K Mode DVBT OFDM Spectrum
30
40
50
90
70
80
100
110
60
4
3
2
1
0
1
2
3
4
20 kHz BW
(
20 kHz BW
10
ACPR Measured at 3.9 MHz Offset
from Center Frequency
IMRU
4.0
100
10
0
IMRL
f, FREQUENCY (MHz)
Reference
Point
20
30
40
50
60
70
80
90
0.8
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0 3.2
2.4 1.6
3.25 MHz
Offset
3.25 MHz
Offset
(
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 16. Single-Carrier ATSC 8VSB
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
P
ATSC 8VSB
1
3
5
7
Figure 17. ATSC 8VSB Spectrum
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6P3300H RF Power Field Effect Transistor
MRF6P9220HR3 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
MRF6S18100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6P9220HR3 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6P9220HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P9220HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P9220HR5 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S18060MBR1 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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