參數(shù)資料
型號： MRF6P9220HR3
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
中文描述： 880兆赫，47糯的AVG。，28 V的單個N - CDMA的橫向N溝道功率MOSFET射頻
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 437K
代理商： MRF6P9220HR3
MRF6P9220HR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
500
17
21
8
72
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 1600 mA
f = 880 MHz
100
10
20
19.5
19
18
56
48
40
32
24
η
D
,
D
G
ps
η
D
G
p
,
7
T
C
= 30 C
85 C
25 C
30 C
20.5
64
25 C
85 C
Figure 12. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
V
DD
= 12 V
G
p
,
400
14.5
20.5
50
19.5
15.5
200
16.5
17.5
24 V
I
DQ
= 1600 mA
f = 880 MHz
20 V
16 V
32 V
0
18.5
100
150
250
300
350
28 V
210
10
10
90
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
Figure 13. MTTF Factor versus Junction Temperature
10
8
10
7
120
140
160
180
200
M
2
)
10
9
100
190
170
150
130
110
18.5
17.5
16
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