參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S21050LSR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/12頁(yè)
文件大?。?/td> 429K
代理商： MRF6S21050LSR3
MRF6S21050LR3 MRF6S21050LSR3
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
RF Power Field Effect Transistors
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110
to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applica-
tions. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL
applications.
Typical 2-carrier W-CDMA Performance: V
DD
= 28 Volts, I
DQ
= 450 mA,
P
out
= 11.5 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel Bandwidth =
3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain — 16 dB
Drain Efficiency — 27.7%
IM3 @ 10 MHz Offset — -37 dBc @ 3.84 MHz Channel Bandwidth
ACPR @ 5 MHz Offset — -40 dBc @ 3.84 MHz Channel Bandwidth
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 50 Watts CW
Output Power
Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use
Qualified Up to a Maximum of 32 V
DD
Operation
Integrated ESD Protection
Designed for Lower Memory Effects and Wide Instantaneous Bandwidth
Applications
Low Gold Plating Thickness on Leads, 40
μ
″
Nominal.
In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
V
DSS
-0.5, +68
Vdc
Gate-Source Voltage
V
GS
-0.5, +12
Vdc
Total Device Dissipation @ T
C
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
151
0.86
W
W/
°
C
Storage Temperature Range
T
stg
- 65 to +150
°
C
Operating Junction Temperature
T
J
200
°
C
CW Operation
CW
50
W
NOTE -
CAUTION
- MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
MRF6S21050L
Rev. 0, 3/2005
Freescale Semiconductor
Technical Data
MRF6S21050LR3
MRF6S21050LSR3
2170 MHz, 11.5 W AVG., 28 V
2 x W-CDMA
LATERAL N-CHANNEL
RF POWER MOSFETs
CASE 465F-04, STYLE 1
NI-400S
MRF6S21050LSR3
CASE 465E-04, STYLE 1
NI-400
MRF6S21050LR3
Freescale Semiconductor, Inc., 2005. All rights reserved.
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PDF描述
MRF6S21060NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21100HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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MRF6S21060BR1 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
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MRF6S21060N 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
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