參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S21060NBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 3/16頁(yè)
文件大?。?/td> 630K
代理商： MRF6S21060NBR1
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 1. MRF6S21060NR1(NBR1) Test Circuit Schematic
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
PCB
0.270
″
x 0.300
″
Microstrip
0.230
″
x 0.080
″
Microstrip
0.310
″
x 0.300
″
Microstrip
0.830
″
x 0.080
″
Microstrip
0.200
″
x 0.080
″
Microstrip
1.000
″
x 0.080
″
Microstrip
1.100
″
x 0.070
″
Microstrip
Arlon AD250, 0.030
″
,
ε
r
= 2.5
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.250
″
x 0.080
″
Microstrip
0.860
″
x 0.080
″
Microstrip
0.300
″
x 0.405
″
Microstrip
0.350
″
x 0.080
″
Microstrip
0.350
″
x 0.755
″
Microstrip
0.680
″
x 0.080
″
Microstrip
0.115
″
x 0.755
″
Microstrip
0.115
″
x 1.000
″
Microstrip
0.240
″
x 1.000
″
Microstrip
V
BIAS
V
SUPPLY
RF
OUTPUT
RF
INPUT
DUT
C6
C1
C2
C3
C4
C5
R1
Z1
Z2
Z3
Z4
C7
Z9
C8
Z10
Z8
Z5
R2
Z6
R3
Z7
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
V
SUPPLY
C9
C10
C11
Table 6. MRF6S21060NR1(NBR1) Test Circuit Component Designations and Values
Part
C1
100 nF Chip Capacitor
C2, C7
4.7 pF Chip Capacitors
C3, C8, C9
6.8 pF Chip Capacitors
C4, C5, C6, C10, C11
10
μ
F, 35 V Chip Capacitors
R1
1 k
Chip Resistor
R2
10 k Chip Resistor
R3
10
Chip Resistor
Description
Part Number
Manufacturer
Kemet
ATC
ATC
Murata
CDR33BX104AKWS
100B4R7CW
100B6R8CW
GRM55DR61H106KA88L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S21100HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21100HSR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21100NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S21140HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21140HSR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
MRF6S21060NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 2170MHZ 14W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21060NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21100HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 23W W-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21100HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 23W W-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21100HS 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
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