參數(shù)資料
型號： MRF6S21060NBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 8/16頁
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代理商： MRF6S21060NBR1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
f
MHz
Z
source
Ω
Z
load
Ω
2110
2140
2170
3.31 - j5.35
3.06 - j4.92
3.17 - j5.16
7.59 - j8.39
6.71 - j8.83
5.84 - j8.62
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 610 mA, P
out
= 14 W Avg.
Z
o
= 10
Ω
Z
load
Z
source
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f = 2170 MHz
f = 2110 MHz
f = 2110 MHz
f = 2170 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S21100HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21100HSR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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MRF6S21100HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 23W W-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21100HS 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
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