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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S21100NBR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | 射頻功率場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 15/16頁 |
| 文件大小： | 685K |
| 代理商： | MRF6S21100NBR1 |
MRF6S21100NR1 MRF6S21100NBR1
15
RF Device Data
Freescale Semiconductor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MRF6S21140HSR3 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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| MRF6S23100HR3 | RF Power Dield Effect Transistors |
| MRF6S23100Hxx | RF Power Dield Effect Transistors |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MRF6S21100NR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S21140HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 LDMOS 30W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S21140HR3_07 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S21140HR3_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
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