參數(shù)資料
型號： MRF6S21100NBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/16頁
文件大小： 685K
代理商： MRF6S21100NBR1
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21100NR1 MRF6S21100NBR1
Figure 2. MRF6S21100NR1(NBR1) Test Circuit Component Layout
MRF6S21100N/NB, Rev. 3
C
C11
R1
C1
C2
C3
R3
B1
R2
C7
C8
C4
C5
C6
C9
C12
C10
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PDF描述
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