參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S23100H
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Dield Effect Transistors
中文描述： 射頻功率Dield場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
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代理商： MRF6S23100H
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
Figure 2. MRF6S23100HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
C
MRF6S23100 Rev 2.0
C10
C1
R1
B1
C6
C5
C4
C2
C8
C9
C11
C12
C7
C3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S23100HR3 RF Power Dield Effect Transistors
MRF6S23100Hxx RF Power Dield Effect Transistors
MRF6S23100HSR3 RF Power Dield Effect Transistors
MRF6S23140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S24140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S23100HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 20W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S23100HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S23100HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 20W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S23100HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 20W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S23100HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 20W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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