參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S27015GNR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 9/17頁(yè)
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代理商： MRF6S27015GNR1
MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Z
o
=
5 Ω
Z
load
f = 2500 MHz
Z
source
f = 2700 MHz
f = 2500 MHz
f = 2700 MHz
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 160 mA, P
out
= 3 W Avg.
f
MHz
Z
source
Z
load
2500
2525
2550
2575
2600
2625
2650
2675
2700
4.059 - j2.284
3.679 - j2.593
3.006 - j2.574
2.355 - j2.190
2.075 - j1.657
1.930 - j1.179
1.973 - j0.771
2.017 - j0.557
2.024 - j0.379
3.380 - j0.543
3.265 - j0.546
3.077 - j0.449
2.892 - j0.336
2.727 - j0.182
2.564 - j0.034
2.435 + j0.140
2.286 + j0.340
2.227 + j0.538
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
Figure 17. Series Equivalent Source and Load Impedance
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PDF描述
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