參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S9160HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)）
文件頁(yè)數(shù)： 10/12頁(yè)
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代理商： MRF6S9160HR3
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9160HR3 MRF6S9160HSR3
Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Ω
Z
load
Ω
850
865
880
1.20 + j0.03
1.31 + j0.22
1.26 + j0.15
0.61 - j1.27
0.66 - j1.15
0.64 - j1.05
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1200 mA, P
out
= 35 W Avg.
Z
o
= 2
Ω
Z
load
f = 850 MHz
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
f = 910 MHz
Z
source
895
910
1.26 + j0.32
1.32 + j0.28
0.55 - j0.90
0.48 - j0.74
f = 850 MHz
f = 910 MHz
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PDF描述
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