參數(shù)資料
型號： MRF6S9160HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管（N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)）
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 546K
代理商： MRF6S9160HR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9160HR3 MRF6S9160HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
,
D
210
10
10
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
10
8
10
7
M
2
)
90
110
130
150
170
190
100
120
140
160
180
200
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
16
0
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
23
70
21
60
20
50
30
20
1
10
100
17
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 1200 mA
f = 880 MHz
G
ps
G
p
,
22
10
η
D
300
T
C
= 30 C
30 C
25 C
85 C
19
18
40
85 C
Figure 12. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
p
,
V
DD
= 12 V
16
V
300
16
21
0
200
50
17
100
150
19
18
20
I
DQ
= 1200 mA
f = 880 MHz
20
V
24
V
28
V
32
V
250
Figure 13. MTTF Factor versus Junction Temperature
10
9
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PDF描述
MRF6V2010NBR1 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2010N RF Power Field Effect Transistor
MRF6V2150NBR1 RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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