參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6V2150N
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 212K
代理商： MRF6V2150N
MRF6V2150N MRF6V2150NB
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
200
20
27
0
10
80
V
DD
= 50 Vdc
I
DQ
= 450 mA
f = 220 MHz
100
50
26
25
24
23
22
21
70
60
50
40
30
20
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 1. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
G
p
,
η
D
D
150
G
ps
η
D
200
20
27
0
V
DD
= 50 Vdc
f = 220 MHz
100
50
26
25
24
23
22
21
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 2. Power Gain versus Output Power
G
p
,
150
I
DQ
= 495 mA
540 mA
360 mA
405 mA
450 mA
40
45
20
0
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 3. Third Order Intermodulation
Distortion versus Output Power
25
30
35
40
20
100
I
D
60
V
DD
= 50 Vdc, I
DQ
= 450 mA
f1 = 220 MHz, f2 = 220.1 MHz
TwoTone Measurements
80
35
35
55
10
25 C
30 C
85 C
25
15
50
45
40
P
in
, INPUT POWER (dBm)
Figure 4. Output Power versus Input Power
over Temperature
P
o
,
V
DD
= 50 Vdc
I
DQ
= 450 mA
f = 220 MHz
20
30
IM3U
IM3L
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PDF描述
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