參數(shù)資料
型號： MRF6VP11KHR6
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： RF功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的側(cè)向
文件頁數(shù)： 7/11頁
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代理商： MRF6VP11KHR6
MRF6VP11KHR6
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Z
o
= 10
Ω
Z
load
f = 130 MHz
Z
source
f = 130 MHz
V
DD
= 50 Vdc, I
DQ
= 150 mA, P
out
= 1000 W Peak
f
MHz
Z
source
Z
load
130
1.58 + j6.47
4.6 + j1.85
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 13. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關PDF資料
PDF描述
MRF7S18170H RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
MRF7S19080HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF7S19100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S19170HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S21080HR3 RF Power Field Effect Transistors
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MRF6VP121KHSR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 1kW 50V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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